STW56N65DM2
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| Número de pieza | STW56N65DM2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 48A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.399 | $3.606 | $3.254 | $2.726 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STW56N65DM2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 48A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 12001 pcs | Ficha de datos | STW56N65DM2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 | Serie | MDmesh™ DM2 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 24A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 360W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Otros nombres | 497-16337-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 88nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
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