STI10NM60N
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| Número de pieza | STI10NM60N |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.978 | $0.882 | $0.709 | $0.551 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STI10NM60N | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 60136 pcs | Ficha de datos | STx10NM60N |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | Serie | MDmesh™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 70W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | 497-13839-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 19nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
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