STI100N10F7
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| Número de pieza | STI100N10F7 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.322 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STI100N10F7 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 60517 pcs | Ficha de datos | Power MOSFET Selection Guide |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | - | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK (TO-262) | Serie | STripFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | La disipación de energía (máximo) | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Temperatura de funcionamiento | - | Tipo de montaje | Through Hole |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 Weeks | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 60nC @ 25V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 80A Through Hole I2PAK (TO-262) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A |
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