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STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2
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Número de pieza STGYA120M65DF2
Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 14132 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs100 pcs600 pcs
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Número de pieza STGYA120M65DF2 Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 14132 pcs Ficha de datos STGYA120M65DF2 Datasheet
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Condición de prueba 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 66ns/185ns Cambio de Energía 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Paquete del dispositivo MAX247™ Serie *
Tiempo de recuperación inversa (trr) 202ns Potencia - Max 625W
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-247-3 Exposed Pad
Otros nombres 497-16976 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard Tipo de IGBT NPT, Trench Field Stop
puerta de carga 420nC Descripción detallada IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 360A Corriente - colector (Ic) (Max) 160A

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