STGWA80H65DFB
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| Número de pieza | STGWA80H65DFB |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.734 | $2.469 | $2.044 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STGWA80H65DFB | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 14860 pcs | Ficha de datos | STGx(x)80H65DFB |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - Colector-emisor (máx) | 650V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A | Condición de prueba | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C | 84ns/280ns | Cambio de Energía | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 Long Leads | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 85ns | Potencia - Max | 469W |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Otros nombres | 497-16007-5 STGWA80H65DFB-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de entrada | Standard |
| Tipo de IGBT | Trench Field Stop | puerta de carga | 414nC |
| Descripción detallada | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads | Corriente - Colector Pulsada (ICM) | 240A |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 120A |
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