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STGWA50M65DF2

STGWA50M65DF2
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Número de pieza STGWA50M65DF2
Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 39874 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza STGWA50M65DF2 Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 39874 pcs Ficha de datos STGWA50M65DF2 Datasheet
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Condición de prueba 400V, 50A, 6.8 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 42ns/130ns Cambio de Energía 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Paquete del dispositivo TO-247 Long Leads Serie M
Tiempo de recuperación inversa (trr) 162ns Potencia - Max 375W
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-247-3
Otros nombres 497-16973 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard Tipo de IGBT Trench Field Stop
puerta de carga 150nC Descripción detallada IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247 Long Leads
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 150A Corriente - colector (Ic) (Max) 80A

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