STB7NK80Z-1
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| Número de pieza | STB7NK80Z-1 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.595 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB7NK80Z-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 49979 pcs | Ficha de datos | ST(B,P)7NK80Z(-1,FP) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | Serie | SuperMESH™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | 497-12539-5 STB7NK80Z-1-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1138pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
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