STB4NK60Z-1
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| Número de pieza | STB4NK60Z-1 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.712 | $0.573 | $0.515 | $0.401 | $0.332 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB4NK60Z-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 72624 pcs | Ficha de datos | STx4NK60Z(FP,-1) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | Serie | SuperMESH™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 70W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | 497-12536-5 STB4NK60Z-1-ND |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 26nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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