STB45N50DM2AG
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| Número de pieza | STB45N50DM2AG |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 35A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.224 | $1.984 | $1.627 | $1.318 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB45N50DM2AG | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 35A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 23712 pcs | Ficha de datos | STB45N50DM2AG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 84 mOhm @ 17.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 250W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 497-16134-1 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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- Parte#:
MMP200FRE576K - Fabricantes:
Yageo - Descripción:
RES SMD 1% 2W MELF - En stock:
420171