STB200NF04L-1
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| Número de pieza | STB200NF04L-1 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.738 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB200NF04L-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 50141 pcs | Ficha de datos | ST(B,P)200NF04(-1) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | Serie | STripFET™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 50A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | 497-6190-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6400pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 90nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V | Descripción detallada | N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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