STB200N6F3
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| Número de pieza | STB200N6F3 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.46 | $2.195 | $1.80 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB200N6F3 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 19652 pcs | Ficha de datos | STx200N6F3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | STripFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 60A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 330W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 497-10025-1 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 100nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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