STB18N60DM2
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| Número de pieza | STB18N60DM2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 12A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.09 | $0.984 | $0.791 | $0.615 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB18N60DM2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 12A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 48544 pcs | Ficha de datos | STB18N60DM2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | MDmesh™ DM2 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 295 mOhm @ 6A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 90W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 497-16339-1 | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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