STB120N10F4
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| Número de pieza | STB120N10F4 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB120N10F4 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5171 pcs | Ficha de datos | STB,P120N10F4 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | - |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo FET | - | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Descripción detallada | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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