STB12NM50N
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| Número de pieza | STB12NM50N |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.746 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB12NM50N | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 44156 pcs | Ficha de datos | STx12NM50N |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | MDmesh™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 100W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 497-5781-2 STB12NM50N-ND |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V | Descripción detallada | N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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- Parte#:
831-87-042-64-001101 - Fabricantes:
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16557