JANTXV1N5619US

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Número de pieza	JANTXV1N5619US
Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme

~~In Stock~~ 8793 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	156 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$4.356

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	JANTXV1N5619US	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	8793 pcs	Ficha de datos	1N5615US thru 1N5623US
Categoría	Productos semiconductores discretos	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.6V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V	Paquete del dispositivo	D-5A
Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)	Serie	Military, MIL-PRF-19500/429
Tiempo de recuperación inversa (trr)	250ns	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SQ-MELF, A	Otros nombres	1086-19423 1086-19423-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A	Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)	1A	Capacitancia Vr, F	-

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