JANTXV1N5619

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Número de pieza	JANTXV1N5619
Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme

~~In Stock~~ 8141 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	170 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$3.995

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	JANTXV1N5619	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	8141 pcs	Ficha de datos	1N5615 - 1N5623
Categoría	Productos semiconductores discretos	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.6V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/429	Tiempo de recuperación inversa (trr)	250ns
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	A, Axial
Otros nombres	1086-2831 1086-2831-MIL	Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 600V 1A Through Hole
Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 600V	Corriente - rectificada media (Io)	1A
Capacitancia Vr, F	25pF @ 12V, 1MHz

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