JANTXV1N5554US

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Número de pieza	JANTXV1N5554US
Fabricante	Microsemi Corporation
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme

~~In Stock~~ 4829 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	100 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$8.111

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	JANTXV1N5554US	Fabricante	Microsemi Corporation
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4829 pcs	Ficha de datos	1N5550US thru 1N5554US
Categoría	Productos semiconductores discretos	Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	3A	Tensión - Desglose	D-5B
Serie	Military, MIL-PRF-19500/420	Estado RoHS	Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Resistencia @ Si, F	-
Polarización	SQ-MELF, B	Otros nombres	1086-19418 1086-19418-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	2µs	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks
Número de pieza del fabricante	JANTXV1N5554US	Descripción ampliada	Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
configuración de diodo	1µA @ 1000V	Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.3V @ 9A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

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