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JANTXV1N5552US

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Número de pieza JANTXV1N5552US
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 4410 pcs
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$6.788

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Número de pieza JANTXV1N5552US Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4410 pcs Ficha de datos 1N5550US thru 1N5554US
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.2V @ 9A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V Paquete del dispositivo D-5B
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/420
Tiempo de recuperación inversa (trr) 2µs embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SQ-MELF, B Otros nombres 1086-19415
1086-19415-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 3A Capacitancia Vr, F -

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