JAN1N5814
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| Número de pieza | JAN1N5814 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N5814 | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5158 pcs | Ficha de datos | 1N5812(R), 14(R), 169(R) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 20A | Tensión - Desglose | DO-203AA (DO-4) |
| Serie | - | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
| Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud | Otros nombres | 1086-15835 1086-15835-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 35ns | Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | JAN1N5814 |
| Descripción ampliada | Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) | configuración de diodo | 10µA @ 100V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Corriente - Fuga inversa a Vr | 950mV @ 20A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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