JAN1N5809URS
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| Número de pieza | JAN1N5809URS |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.033 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N5809URS | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5555 pcs | Ficha de datos | 1N5807,09,11 US/URS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 875mV @ 4A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100V | Paquete del dispositivo | B, SQ-MELF |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SQ-MELF, B | Otros nombres | 1086-19441 1086-19441-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 100V | Corriente - rectificada media (Io) | 3A |
| Capacitancia Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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