APTML10UM09R004T1AG
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| Número de pieza | APTML10UM09R004T1AG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 154A SP1 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTML10UM09R004T1AG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 154A SP1 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4804 pcs | Ficha de datos | APTML10UM09R004T1AG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SP1 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 480W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 154A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 154A (Tc) |
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