APTMC120TAM34CT3AG
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| Número de pieza | APTMC120TAM34CT3AG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | POWER MODULE - SIC MOSFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $247.029 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTMC120TAM34CT3AG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | POWER MODULE - SIC MOSFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 133 pcs | Ficha de datos | APTMC120TAM34CT3AG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 15mA |
| Paquete del dispositivo | SP3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V | Potencia - Max | 375W |
| Paquete / Cubierta | Module | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2788pF @ 1000V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 161nC @ 5V |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | Característica de FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) | Descripción detallada | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 74A (Tc) 375W Chassis Mount SP3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
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