1N5419US
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| Número de pieza | 1N5419US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.963 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 1N5419US | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 8526 pcs | Ficha de datos | 1N5415 - 20US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.5V @ 9A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 500V | Paquete del dispositivo | D-5B |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 250ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | E-MELF | Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 7 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 500V 3A Surface Mount D-5B |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1µA @ 500V | Corriente - rectificada media (Io) | 3A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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