1N5419E3
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| Número de pieza | 1N5419E3 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.406 | $2.149 | $1.934 | $1.762 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
| $1.59 | $1.427 | $1.203 | $1.143 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 1N5419E3 | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 29691 pcs | Ficha de datos | 1N5415 - 20 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 3A | Tensión - Desglose | - |
| Serie | - | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | B, Axial | Temperatura de funcionamiento - Junction | 250ns |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | 1N5419E3 | Descripción ampliada | Diode Standard 500V 3A Through Hole |
| configuración de diodo | 1µA @ 500V | Descripción | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.5V @ 9A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 500V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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