SH8M2TB1
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| Número de pieza | SH8M2TB1 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.371 | $0.325 | $0.251 | $0.186 | $0.149 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SH8M2TB1 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 139763 pcs | Ficha de datos | SH8M2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 83 mOhm @ 3.5A, 10V | Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SH8M2TB1CT | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.5nC @ 5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Standard | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Número de pieza base | *M2 |
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