SH8K2TB1
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| Número de pieza | SH8K2TB1 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.162 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SH8K2TB1 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 137675 pcs | Ficha de datos | SH8K2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP (5.0x6.0) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 10V | Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SMD, Gull Wing |
| Otros nombres | SH8K2TB1TR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10.1nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Número de pieza base | *K2 |
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