RSR020N06TL
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| Número de pieza | RSR020N06TL |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.073 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RSR020N06TL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 327896 pcs | Ficha de datos | RSR020N06 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TSMT3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 170 mOhm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 540mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SC-96 |
| Otros nombres | RSR020N06MGTL RSR020N06TL-ND RSR020N06TLTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.9nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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