RSR010N10TL
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| Número de pieza | RSR010N10TL |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.26 | $0.228 | $0.176 | $0.13 | $0.104 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RSR010N10TL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 184497 pcs | Ficha de datos | RSR010N10 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TSMT3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 520 mOhm @ 1A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 540mW (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | SC-96 |
| Otros nombres | RSR010N10TLCT | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.5nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 1A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
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