RQ3E080GNTB
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| Número de pieza | RQ3E080GNTB |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.051 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RQ3E080GNTB | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 477297 pcs | Ficha de datos | HSMT8 TB Taping SpecRQ3E080GN |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-HSMT (3.2x3) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 16.7 mOhm @ 8A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres | RQ3E080GNTBTR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 40 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
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