RQ3E075ATTB
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| Número de pieza | RQ3E075ATTB |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.179 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RQ3E075ATTB | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 106088 pcs | Ficha de datos | RQ3E075ATHSMT8 TB Taping Spec |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-HSMT (3.2x3) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 15W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres | RQ3E075ATTBTR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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