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Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
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Número de pieza RFN5B6STL Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 5A CPD Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 6035 pcs Ficha de datos RFN5B6S
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.55V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V Paquete del dispositivo CPD
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 600V 5A Surface Mount CPD Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 5A Capacitancia Vr, F -

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