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RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11
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Número de pieza RFN30TS6SGC11
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 42013 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza RFN30TS6SGC11 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 42013 pcs Ficha de datos RFN30TS6STO247 C11 Taping Spec
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.55V @ 30A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V Paquete del dispositivo TO-247
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 60ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta TO-247-3 Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247
Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 600V Corriente - rectificada media (Io) 30A
Capacitancia Vr, F -

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