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RFN1LAM7STR

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Número de pieza RFN1LAM7STR
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 156217 pcs
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Número de pieza RFN1LAM7STR Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 156217 pcs Ficha de datos RFN1LAM7SPMDTM TR Taping Spec
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.5V @ 800mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 700V Paquete del dispositivo PMDTM
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 80ns embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SOD-128 Otros nombres RFN1LAM7SCT
Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDTM
Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 700V Corriente - rectificada media (Io) 800mA
Capacitancia Vr, F -

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