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RFN10TF6S

RFN10TF6S
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Número de pieza RFN10TF6S
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 79876 pcs
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Número de pieza RFN10TF6S Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 79876 pcs Ficha de datos RFN10TF6S
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.55V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V Paquete del dispositivo TO-220NFM
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta TO-220-2 Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 10A Capacitancia Vr, F -

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