QS8M13TCR
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| Número de pieza | QS8M13TCR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.442 | $0.393 | $0.31 | $0.241 | $0.19 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | QS8M13TCR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 107580 pcs | Ficha de datos | QS8M13 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | TSMT8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V | Potencia - Max | 1.5W |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres | QS8M13TCRCT | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.5nC @ 5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A, 5A |
| Número de pieza base | *M13 |
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