QS8J5TR
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| Número de pieza | QS8J5TR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.237 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | QS8J5TR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 94756 pcs | Ficha de datos | TSMT8 TR Taping SpecQS8J5 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | TSMT8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 39 mOhm @ 5A, 10V | Potencia - Max | 600mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
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