QS6M3TR
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| Número de pieza | QS6M3TR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.076 | |||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | QS6M3TR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 284114 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | TSMT6 (SC-95) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Potencia - Max | 1.25W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V, 20V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A | Número de pieza base | *M3 |
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