QS6K1TR
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| Número de pieza | QS6K1TR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.092 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | QS6K1TR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 230259 pcs | Ficha de datos | QS6K1TSMT6 TR Taping Spec |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | TSMT6 (SC-95) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 238 mOhm @ 1A, 4.5V | Potencia - Max | 1.25W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres | QS6K1MGTR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 77pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
| Número de pieza base | *K1 |
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