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IRFS4115PBF

IRFS4115PBF
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Número de pieza IRFS4115PBF
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 40943 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$1.851$1.654$1.356$1.098$0.926

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Número de pieza IRFS4115PBF Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 40943 pcs Ficha de datos IRFS(L)4115PBF
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D2PAK Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 12.1 mOhm @ 62A, 10V La disipación de energía (máximo) 375W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres 64-2135PBF
64-2135PBF-ND
SP001565010		 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5270pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 120nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150V Descripción detallada N-Channel 150V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)

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