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IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF
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Número de pieza IRFS4010TRLPBF
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 44592 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza IRFS4010TRLPBF Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 44592 pcs Ficha de datos IRFS(L)4010PBF
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D2PAK Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 4.7 mOhm @ 106A, 10V La disipación de energía (máximo) 375W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres IRFS4010TRLPBFTR
SP001550124		 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9575pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 215nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V Descripción detallada N-Channel 100V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)

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