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IRF7465

IRF7465
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Número de pieza IRF7465
Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 89967 pcs
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Número de pieza IRF7465 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 89967 pcs Ficha de datos IRF7465
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SO Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 280 mOhm @ 1.14A, 10V La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)
embalaje Tube Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres *IRF7465 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150V Descripción detallada N-Channel 150V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)

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