IRF7464
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| Número de pieza | IRF7464 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF7464 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5212 pcs | Ficha de datos | IRF7464 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 730 mOhm @ 720mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | *IRF7464 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V | Descripción detallada | N-Channel 200V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
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