IRF5305L
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| Número de pieza | IRF5305L |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF5305L | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5460 pcs | Ficha de datos | IRF5305S/L |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-262 | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | *IRF5305L | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 63nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Descripción detallada | P-Channel 55V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
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