IRF5210STRR
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| Número de pieza | IRF5210STRR |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF5210STRR | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5102 pcs | Ficha de datos | IRF5210S |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 60 mOhm @ 24A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | P-Channel 100V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
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