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IXTY10P15T

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Número de pieza IXTY10P15T
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 39414 pcs
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Número de pieza IXTY10P15T Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 39414 pcs Ficha de datos IXT(Y,A,P)10P15T
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-252 Serie TrenchP™
RDS (Max) @Id, Vgs 350 mOhm @ 5A, 10V La disipación de energía (máximo) 83W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 36nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150V Descripción detallada P-Channel 150V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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