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IXTY1N80P

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Número de pieza IXTY1N80P
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 51470 pcs
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Número de pieza IXTY1N80P Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 51470 pcs Ficha de datos IXTx1N80P
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-252, (D-Pak) Serie Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs 14 Ohm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 42W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V Descripción detallada N-Channel 800V 1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)

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