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IXTP64N055T

IXTP64N055T
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Número de pieza IXTP64N055T
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 4980 pcs
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Número de pieza IXTP64N055T Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4980 pcs Ficha de datos IXT(P,Y)64N055T
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs 13 mOhm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 130W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55V
Descripción detallada N-Channel 55V 64A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)

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  • Parte#:IXTP50N25T
  • Fabricantes:IXYS
  • Descripción:MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
  • En stock:56884
$0.653/pcsInvestigación
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