IXTP08N100P
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| Número de pieza | IXTP08N100P |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.655 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTP08N100P | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 58185 pcs | Ficha de datos | IXT(A,P,Y)08N100P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | Polar™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 20 Ohm @ 500mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 42W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11.3nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V | Descripción detallada | N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
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