IXTP08N100D2
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| Número de pieza | IXTP08N100D2 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.704 | $0.566 | $0.509 | $0.396 | $0.328 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTP08N100D2 | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 73380 pcs | Ficha de datos | IXT(Y,A,P)08N100D2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V | La disipación de energía (máximo) | 60W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14.6nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | Depletion Mode | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V | Descripción detallada | N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
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