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IXFN44N50

IXFN44N50
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Número de pieza IXFN44N50
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 6089 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza IXFN44N50 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 6089 pcs Ficha de datos IXFx4xN50
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B Serie HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 120 mOhm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 520W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 270nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V Descripción detallada N-Channel 500V 44A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)

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